2SK01980RL备选型号: IRLML2030TRPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
- 最大漏极电流(Id)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1150°C TJTape & Reel (TR)2008Obsolete1 (Unlimited)30V150mW20mA2SK0198150mWN-Channel14pF @ 10V30V20mA14pF500μA @ 10V100mV @ 10μA20mA符合RoHS标准无铅-----------------------------------
- MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003活跃1 (Unlimited)-----N-Channel110pF @ 15V-2.7A----ROHS3 Compliant无铅12 Weeks3SILICON2.7A TaHEXFET®e33EAR99100MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.3W4.1 nsSWITCHING100m Ω @ 2.7A, 10V2.3V @ 25μA1nC @ 4.5V3.3ns±20V2.9 ns1.7V20V2.2A30V11A14 ns1.7 V1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
![]() | BF861C,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RF JFET, N CH, 25V, 25MA, 3-SOT-23 - More Details | 对比 |
![]() | IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |





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