2SK1317-E备选型号: STP3N150

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Renesas Electronics America
    RENESAS - 2SK1317-E - MOSFET, N, TO-3P
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    PRSS0004ZE-A
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tube
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12 Ω @ 2A, 15V
    990pF @ 10V
    70ns
    1500V
    ±20V
    60 ns
    2.5A
    4V
    20V
    7A
    4 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    -
    2.5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    140W
    -
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9 Ω @ 1.3A, 10V
    939pF @ 25V
    47ns
    1500V
    ±30V
    61 ns
    2.5A
    4V
    30V
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    4.535924g
    PowerMESH™
    e3
    EAR99
    9Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STP3N
    Single
    5V @ 250μA
    29.3nC @ 10V
    TO-220AB
    1.5kV
    450 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
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