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首页 全部分类 2SK1835-E vs STFW4N150

2SK1835-E备选型号: STFW4N150

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  • 场效应管类型
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  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 长度
  • 宽度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • Renesas Electronics America
    2SK1835-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    Copper, Tin
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    4A Ta
    2008
    150°C TJ
    Tube
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 2A, 15V
    1700pF @ 10V
    80ns
    1500V
    ±20V
    80 ns
    4A
    20V
    4A
    7Ohm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STFW4N150
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    Tin
    ISOWATT218FX
    3
    SILICON
    4A Tc
    -
    150°C TJ
    Tube
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 2A, 10V
    1300pF @ 25V
    30ns
    1500V
    ±30V
    45 ns
    4A
    30V
    4A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    5V @ 250μA
    PowerMESH™
    e3
    7Ohm
    STFW
    63W
    50nC @ 10V
    4V
    1.5kV
    15.7mm
    5.7mm
    26.7mm
    无SVHC
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