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首页 全部分类 2SK2967(F) vs IPI600N25N3GAKSA1

2SK2967(F)备选型号: IPI600N25N3GAKSA1

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SK2967(F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    30A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150W
    N-Channel
    68m Ω @ 15A, 10V
    3.5V @ 1mA
    5400pF @ 10V
    132nC @ 10V
    250V
    ±20V
    30A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPI600N25N3GAKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    136W
    N-Channel
    60m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 90μA
    2350pF @ 100V
    29nC @ 10V
    -
    ±20V
    25A
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    no
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    无卤素
    8 ns
    20V
    250V
    0.06Ohm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPI600N25N3GAKSA1 IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 对比