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首页 全部分类 2SK2967(F) vs STP52N25M5

2SK2967(F)备选型号: STP52N25M5

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SK2967(F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    30A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150W
    N-Channel
    68m Ω @ 15A, 10V
    3.5V @ 1mA
    5400pF @ 10V
    132nC @ 10V
    250V
    ±20V
    30A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP52N25M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 250V 28A TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    110W
    N-Channel
    65m Ω @ 14A, 10V
    5V @ 100μA
    1770pF @ 50V
    47nC @ 10V
    -
    ±25V
    28A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    MDmesh™ V
    3
    EAR99
    ULTRA LOW-ON RESISTANCE
    SINGLE
    STP52N
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    18ns
    64 ns
    TO-220AB
    25V
    0.065Ohm
    250V
    112A
    230 mJ
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IPI600N25N3GAKSA1 IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 对比