2SK33720TL备选型号: RUM001L02T2CL
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- 底架
- 安装类型
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
- 最大漏极电流(Id)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P表面贴装表面贴装SOT-723SSSMini3-F1-20°C~80°C TATape & Reel (TR)2004Obsolete1 (Unlimited)20V100mW2mA2SK3372100mWN-Channel20V107μA @ 2V2mA符合RoHS标准无铅-----------------------------
- MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3表面贴装表面贴装SOT-723-150°C TJCut Tape (CT)2012活跃1 (Unlimited)-----N-Channel---ROHS3 Compliant无铅16 WeeksTin3SILICON100mA Ta3EAR99DUALFLAT未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR1增强型MOSFET150mW5 nsSWITCHING3.5 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 100μA7.1pF @ 10V4ns±8V38 ns100mA8V4.2Ohm20V150°C550μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RZM001P02T2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-723 | MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3 | 对比 | |
| SSM3K37MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-723 | MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM | 对比 | |
| RZM002P02T2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-723 | MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3 | 对比 |



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