ROHM Semiconductor RZM001P02T2L
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RZM001P02T2L
2078-RZM001P02T2L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-723
大陆
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MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
--最小包装量--
RZM001P02T2L详情
ROHM Semiconductor RZM001P02T2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
Turn Off Delay Time
325 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 100μA
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150W
接通延迟时间
46 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8 Ω @ 100mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
15pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
连续放电电流(ID)
100mA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
-20V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
550μm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RZM001P02T2L拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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