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首页 全部分类 2SK3431-AZ vs IPP80N04S404AKSA1

2SK3431-AZ备选型号: IPP80N04S404AKSA1

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  • 配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Renesas Electronics America
    2SK3431-AZ
    Renesas Electronics America
    Trans MOSFET N-CH 40V 83A 3-Pin TO-220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    150°C TJ
    Tube
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    SINGLE
    260
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    120 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 42A, 10V
    6100pF @ 10V
    110nC @ 10V
    1.8μs
    40V
    ±20V
    440 ns
    83A
    TO-220AB
    20V
    0.0089Ohm
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N04S404AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    10 ns
    N-Channel
    -
    4.6m Ω @ 80A, 10V
    3440pF @ 25V
    43nC @ 10V
    12ns
    -
    ±20V
    -
    80A
    TO-220AB
    20V
    0.0046Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    4V @ 35μA
    OptiMOS™
    e3
    Tin (Sn)
    无卤素
    40V
    100 mJ
    含铅
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