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首页 全部分类 2SK3480-AZ vs IRL2910PBF

2SK3480-AZ备选型号: IRL2910PBF

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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 系列
  • 终端
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Renesas Electronics America
    2SK3480-AZ
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
    16 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    260
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 25A, 10V
    3600pF @ 10V
    74nC @ 10V
    11ns
    100V
    ±20V
    6 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL2910PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 29A, 10V
    3700pF @ 25V
    140nC @ 5V
    100ns
    -
    ±16V
    55 ns
    55A
    TO-220AB
    16V
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    2V @ 250μA
    HEXFET®
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    100V
    55A
    2.54mm
    Single
    2V
    48A
    100V
    100V
    520 mJ
    350 ns
    2 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
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