2STA1962备选型号: TTA1943(Q)
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- STMICROELECTRONICS 2STA1962Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 130 W, 8 A, 80通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON230V3V150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)3EAR99130W30MHz2STA3Single130W150WSWITCHING30MHzPNPPNP230V15A80 @ 1A 5V5μA ICBO3V @ 800mA, 8A30MHz230V230V5V18.7mm15.8mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--
- Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL通孔通孔TO-3PL3-230V-3V150°C TJTube活跃1 (Unlimited)--150W30MHz--Single150W--30MHz-PNP230V15A80 @ 1A 5V5μA ICBO3V @ 800mA, 8A--230V-5V26mm20.5mm5.2mm-无符合RoHS标准-16 Weeks2009
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NJL1302DG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-264-5 | Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V | 对比 | |
| 2SA1987-O(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-3PL | Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL | 对比 | |
| MJW0302AG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-247-3 | TRANS PNP 260V 15A TO-247 | 对比 |



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