STMicroelectronics 2STA1962

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

230V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

130W

频率

30MHz

基本部件号

2STA

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

130W

功率 - 最大

150W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

230V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1A 5V

最大集极截止电流

5μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 800mA, 8A

转换频率

30MHz

最大击穿电压

230V

集电极基极电压(VCBO)

230V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

18.7mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅