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2V7002LT3G备选型号: 2N7002LT1G
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET NFET 60V 115MA 7.5OACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)20 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON115mA Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012007e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明3Single增强型MOSFET300mW20 nsN-ChannelSWITCHING7.5 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 250μA无卤素50pF @ 25V60V±20V115mA20V60V5 pFROHS3 Compliant无铅--------------- MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)10 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON115mA Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)-2007e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL鸥翼--3Single增强型MOSFET225mW20 nsN-ChannelSWITCHING7.5 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 250μA无卤素50pF @ 25V-±20V115mA20V-5 pFROHS3 Compliant无铅Tin7.5Ohm60V115mA11V60V150°C2.5 V1.11mm3.04mm1.4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N7002L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | 对比 |
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | 对比 |
 | BSS84TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | 对比 |
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