4N32W备选型号: H11B3

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
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  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 电压-隔离度
  • 输出电压
  • 输出类型
  • 通道数量
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  • 输入类型
  • 每个通道的输出电流
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大直流驱动电流(If)
  • 接通 / 关断时间(典型值)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电路数量
  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 正向电压
  • Vce 饱和度(最大值)
  • ON Semiconductor
    Transistor Output Optocouplers Optocoupler Photodarlington
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.400, 10.16mm)
    6
    1V
    500% @ 10mA
    -55°C~100°C
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    250mW
    4N32
    5300Vrms
    30V
    带底座的达林顿
    1
    1.2V
    DC
    150mA
    1V
    150mA
    80mA
    5μs, 100μs (Max)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.300, 7.62mm)
    6
    1V
    100% @ 1mA
    -55°C~100°C
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    250mW
    -
    5300Vrms
    25V
    带底座的达林顿
    1
    1.35V
    DC
    -
    1V
    -
    100mA
    25μs, 18μs
    符合RoHS标准
    无铅
    6-DIP
    2000
    100°C
    -55°C
    1
    25V
    25μs
    1.35V
    1V
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