50A02CH-TL-E备选型号: 2PB710AS,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 最大耗散功率(Abs)
- VCEsat-最大值
- 集电极-基极电容-最大值
- Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin CPH T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350V-60mV150°C TJTape & Reel (TR)2011e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)700mW3Single700mW690MHzPNP50V500mA200 @ 10mA 2V100nA ICBO120mV @ 10mA, 100mA690MHz50V50V-5V900μm2.9mm1.6mm无ROHS3 Compliant无铅----------------------
- TRANS PNP 50V 0.5A SC59--表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-500mA-150°C TJTape & Reel (TR)2009e3-Obsolete1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-3---PNP--170 @ 150mA 10V10nA ICBO600mV @ 30mA, 300mA--------ROHS3 Compliant-YESSILICON38541.21.00.75DUAL鸥翼260unknown402PB710AR-PDSO-G3不合格SINGLE250mWSWITCHINGPNP50V140MHz140MHz0.25W0.6 V15pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R | 对比 | |
| DTB123YCT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST | 对比 | |
![]() | 2PB710AS,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.5A SC59 | 对比 |



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