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首页 全部分类 50C02CH-TL-E vs RN1414,LF

50C02CH-TL-E备选型号: RN1414,LF

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 极性
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    50C02CH-TL-E
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin CPH
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    50V
    100mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    700mW
    500MHz
    3
    Single
    700mW
    500MHz
    NPN
    NPN
    50V
    500mA
    300 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    100mV @ 10mA, 100mA
    50V
    60V
    5V
    900μm
    2.9mm
    1.6mm
    Unknown
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1414,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    100mA
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    200mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    50V
    -
    50 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    -
    5V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    NPN
    250MHz
    1 k Ω
    100mA
    10 k Ω
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