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首页 全部分类 6116SA45TDB vs 6116LA45TDB

6116SA45TDB备选型号: 6116LA45TDB

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 访问时间
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 筛选水平
  • I/O类型
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 电源电流
  • 待机电流-最大值
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    6116SA45TDB
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
    CDIP
    NO
    24
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    Bulk
    2013
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    24
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    125°C
    -55°C
    DUAL
    THROUGH-HOLE
    240
    1
    5V
    2.54mm
    24
    5V
    5V
    MILITARY
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    2kB
    1
    45 ns
    2KX8
    3-STATE
    11b
    16 kb
    MIL-STD-883 Class B
    COMMON
    32.51mm
    5.08mm
    7.62mm
    3.56mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    6116LA45TDB
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 5V 16K-Bit 2K x 8 45ns 24-Pin CDIP
    CDIP
    -
    24
    RAM, SRAM - Asynchronous
    Bulk
    2013
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    24
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    125°C
    -55°C
    DUAL
    -
    240
    1
    5V
    2.54mm
    24
    5V
    5V
    MILITARY
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    -
    1
    45 ns
    2KX8
    3-STATE
    11b
    16 kb
    MIL-STD-883 Class B
    COMMON
    32.51mm
    5.08mm
    7.62mm
    3.56mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    通孔
    85mA
    0.0003A
    Asynchronous
    8b
    2V
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6116LA45TDB 6116LA45TDB Integrated Device Technology (IDT) 存储器 CDIP SRAM Chip Async Single 5V 16K-Bit 2K x 8 45ns 24-Pin CDIP 对比