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首页 全部分类 7005S55GB vs 70V05L15JG

7005S55GB备选型号: 70V05L15JG

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  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
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  • 包装/外壳
  • 表面安装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 温度等级
  • 内存大小
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  • 组织结构
  • 输出特性
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7005S55GB
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 55ns 68-Pin CPGA
    10 Weeks
    68
    RAM, SRAM
    Bulk
    2012
    活跃
    125°C
    -55°C
    5V
    Parallel
    2
    26b
    64 kb
    29.46mm
    29.46mm
    3.68mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70V05L15JG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 3.3V 64K-Bit 8K x 8 15ns 68-Pin PLCC
    7 Weeks
    68
    RAM, SDR, SRAM
    -
    2009
    活跃
    70°C
    0°C
    3.3V
    Parallel
    2
    26b
    64 kb
    24mm
    24mm
    3.63mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    PLCC
    YES
    e3
    yes
    1 (Unlimited)
    68
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    QUAD
    260
    1
    COMMERCIAL
    8kB
    0.185mA
    15 ns
    8KX8
    3-STATE
    COMMON
    3V
    3.6V
    3V
  • 添加型号
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
70V05L15JG 70V05L15JG Integrated Device Technology (IDT) 存储器 PLCC SRAM Chip Async Dual 3.3V 64K-Bit 8K x 8 15ns 68-Pin PLCC 对比