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首页 全部分类 70T3319S166BFG8 vs IS61NLP25618A-200B3LI

70T3319S166BFG8备选型号: IS61NLP25618A-200B3LI

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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70T3319S166BFG8
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Dual 2.5V 4M-Bit 256K x 18 12ns/3.6ns 208-Pin CABGA T/R
    7 Weeks
    208
    RAM, SRAM
    Tape & Reel
    2010
    活跃
    70°C
    0°C
    166MHz
    2.5V
    Parallel
    2
    18b
    4 Mb
    15mm
    15mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61NLP25618A-200B3LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165BGA
    12 Weeks
    165
    Volatile
    Tray
    -
    活跃
    -
    -
    -
    3.3V
    -
    2
    18b
    4 Mb
    15mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    165-TFBGA
    YES
    -40°C~85°C TA
    e1
    yes
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    3.135V~3.465V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    1mm
    10
    165
    不合格
    3.465V
    3.135V
    4.5Mb 256K x 18
    210mA
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    18
    0.035A
    COMMON
    Synchronous
    18b
    3.14V
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