登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

70T651S10BCI备选型号: 70T3339S200BC8

70T651S10BCI

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 256-Pin CABGA

7 Weeks
表面贴装
256
RAM, SDR, SRAM
2009
e0
no
活跃
3 (168 Hours)
256
Tin/Lead (Sn63Pb37)
85°C
-40°C
BOTTOM
BALL
225
1
2.5V
1mm
20
256
2.5V
INDUSTRIAL
Parallel
2.6V
2.4V
1.1MB
2
445mA
10 ns
3-STATE
18b
9 Mb
COMMON
Asynchronous
36b
17mm
1.5mm
17mm
1.4mm
无
符合RoHS标准
含铅
-
-
-
-
-
70T3339S200BC8

Integrated Device Technology (IDT)

IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256CABGA

7 Weeks
表面贴装
256
RAM, SRAM
2010
e0
no
活跃
3 (168 Hours)
256
Tin/Lead (Sn63Pb37)
70°C
0°C
BOTTOM
BALL
225
1
2.5V
1mm
20
256
2.5V
COMMERCIAL
Parallel
2.6V
2.4V
-
2
525mA
10 ns
3-STATE
19b
9 Mb
COMMON
Synchronous
18b
17mm
1.5mm
17mm
1.4mm
-
符合RoHS标准
含铅
Tape & Reel
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
200MHz
不合格
0.015A
添加型号

集成电路（IC）相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	70T3339S200BC8	Integrated Device Technology (IDT)	存储器		IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256CABGA	对比
	70T651S12BC8	Integrated Device Technology (IDT)	存储器		SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 256-Pin CABGA T/R	对比