70V3399S166BF备选型号: CYD02S36VA-167BBC
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
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- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 电压 - 供电
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 待机电压-最小值
- 座位高度(最大)
- SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 128K x 18 12ns/3.6ns 208-Pin CABGA16 Weeks表面贴装208166MHzBulk2009e0no活跃3 (168 Hours)208Tin/Lead (Sn63Pb37)70°C0°CFLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREBOTTOMBALL22513.3V0.8mm166MHz2083.3VCOMMERCIALParallel3.45V3.15V256kB2500mA3.6 ns3-STATE34b2.3 Mb0.03ACOMMONSynchronous18b15mm15mm1.4mm无符合RoHS标准含铅---------------
- IC SRAM 2MBIT 167MHZ 256FBGA-表面贴装256VolatileTray2004e0-Obsolete3 (168 Hours)256Tin/Lead (Sn/Pb)--PIPELINED ARCHITECTURE OR FLOW-THROUGHBOTTOM-22013.3V1mm-2563.3V----2Mb 64K x 362300mA4.4ns3-STATE32b2.3 Mb0.075ACOMMONSynchronous36b17mm--无Non-RoHS Compliant含铅表面贴装256-LBGA0°C~70°C TA1.7V~1.9V30CYD02S363.465V3.135V167MHzSRAMParallel64KX36361.7V1.7mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CYD02S36VA-167BBC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 256-LBGA | IC SRAM 2MBIT 167MHZ 256FBGA | 对比 | |
![]() | 70T3399S200BC | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Sync Dual 2.5V 2M-Bit 128K x 18 10ns/3.4ns 256-Pin CABGA | 对比 | |
![]() | 70V3589S133BCI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM | 对比 |





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