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70V3579S5DR备选型号: 70V657S12DRI
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- JESD-609代码
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- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 频率
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
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- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
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- I/O类型
- 同步/异步
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- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 包装
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- 待机电流-最大值
- 座位高度(最大)
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 5ns 208-Pin PQFP7 Weeks表面贴装PQFP208RAM, SDR, SRAM2008e0no活跃3 (168 Hours)208Tin/Lead (Sn/Pb)70°C0°CQUAD鸥翼22513.3V0.5mm100MHz2083.3VCOMMERCIALParallel3.45V3.15V128kB2360mA10 ns3-STATE30b1.1 MbCOMMONSynchronous36b28mm28mm3.5mm无符合RoHS标准含铅----
SRAM 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM7 Weeks表面贴装PQFP208RAM, SDR, SRAM2009e0no活跃3 (168 Hours)208Tin/Lead (Sn/Pb)85°C-40°CQUAD鸥翼22513.3V0.5mm-2083.3VINDUSTRIALParallel3.45V3.15V128kB2515mA12 ns3-STATE30b1.1 MbCOMMONAsynchronous36b28mm28mm3.5mm无符合RoHS标准含铅Bulk200.015A4.1mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 70V657S12DRI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PQFP | SRAM 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM | 对比 |
 | 70V657S10DRG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PQFP | SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 10ns 208-Pin PQFP Tray | 对比 |
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