70V3589S133BFI备选型号: 70V658S10BF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 频率
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA7 Weeks表面贴装208RAM, SDR, SRAM2009e0no活跃3 (168 Hours)208Tin/Lead (Sn63Pb37)85°C-40°CFLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREBOTTOMBALL13.3V0.8mm133MHz2083.3VINDUSTRIALParallel3.45V3.15V256kB2480mA25 ns64KX363-STATE32b2.3 Mb0.04ACOMMONSynchronous36b15mm1.7mm15mm1.4mm无符合RoHS标准含铅--
- SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 10ns 208-Pin CABGA7 Weeks表面贴装208RAM, SDR, SRAM2009e0no活跃3 (168 Hours)208Tin/Lead (Sn63Pb37)70°C0°C-BOTTOMBALL13.3V0.8mm-2083.3VCOMMERCIALParallel3.45V3.15V256kB2500mA10 ns64KX363-STATE32b2.3 Mb0.015ACOMMONAsynchronous36b15mm-15mm1.4mm无符合RoHS标准含铅22520
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CYD02S36VA-167BBC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 256-LBGA | IC SRAM 2MBIT 167MHZ 256FBGA | 对比 | |
![]() | 70V658S10BF | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 10ns 208-Pin CABGA | 对比 |




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