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70V657S10DRG备选型号: 70V3589S166DRG
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- 工厂交货时间
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
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- 端口的数量
- 电源电流-最大值
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
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- I/O类型
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 频率
- 组织结构
SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 10ns 208-Pin PQFP Tray7 WeeksPQFPYES208RAM, SDR, SRAMBulk2009e3yes活跃3 (168 Hours)208Matte Tin (Sn)70°C0°CQUAD鸥翼26013.3V0.5mm302083.3VCOMMERCIALParallel3.45V3.15V128kB20.5mA10 ns3-STATE30b1.1 Mb0.015ACOMMON28mm4.1mm28mm3.5mm无符合RoHS标准无铅---
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 12ns/3.6ns 208-Pin PQFP7 WeeksPQFPYES208RAM, SDR, SRAMBulk2009e3yes活跃3 (168 Hours)208Matte Tin (Sn)70°C0°CQUAD鸥翼-13.3V0.5mm-2083.3VCOMMERCIALParallel3.45V3.15V256kB20.5mA20 ns3-STATE32b2.3 Mb0.03ACOMMON28mm4.1mm28mm3.5mm无符合RoHS标准无铅PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE166MHz64KX36- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 70V3589S166DRG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PQFP | SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 12ns/3.6ns 208-Pin PQFP | 对比 |
 | 70V3589S133DRG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PQFP | SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin PQFP | 对比 |
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