70V7519S133BCI备选型号: 70V7339S166BCGI

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • Current - Supply (Nom)
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 频率
  • 温度等级
  • 界面
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 包装
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 并行/串行
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 256-Pin CABGA
    7 Weeks
    表面贴装
    256
    RAM, SDR, SRAM
    675mA
    2009
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    256
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    85°C
    -40°C
    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
    3.3V
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    1mm
    133MHz
    INDUSTRIAL
    Parallel
    1.1MB
    2
    25 ns
    3-STATE
    18b
    9 Mb
    0.04A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    3.45V
    3.15V
    17mm
    1.5mm
    17mm
    1.4mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 12ns/3.6ns 256-Pin CABGA
    7 Weeks
    表面贴装
    256
    RAM, SDR, SRAM
    830mA
    2010
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    256
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    85°C
    -40°C
    PIPELINED ARCHITECTURE OR FLOW-THROUGH
    3.3V
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    1mm
    166MHz
    INDUSTRIAL
    Parallel
    1.1MB
    2
    20 ns
    3-STATE
    19b
    9 Mb
    0.04A
    COMMON
    Synchronous
    18b
    3.45V
    3.15V
    17mm
    -
    17mm
    1.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    Bulk
    30
    SERIAL
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70V7339S166BCGI 70V7339S166BCGI Integrated Device Technology (IDT) 存储器 SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 12ns/3.6ns 256-Pin CABGA 对比