71256SA20YG备选型号: AS7C256A-20TCN

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  • 无铅
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
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  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
    12 Weeks
    表面贴装
    28
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    2011
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    70°C
    0°C
    DUAL
    J BEND
    260
    1
    5V
    28
    5V
    5V
    COMMERCIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    32kB
    1
    145mA
    20 ns
    32KX8
    3-STATE
    15b
    256 kb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    17.9mm
    3.556mm
    7.6mm
    2.67mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 20ns 28-Pin TSOP-I
    8 Weeks
    表面贴装
    28
    Volatile
    2000
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    70°C
    0°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5V
    -
    -
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    256Kb 32K x 8
    1
    -
    20ns
    -
    -
    15b
    256 kb
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
    28-TSOP I
    0°C~70°C TA
    Tray
    4.5V~5.5V
    SRAM
    Parallel
    20ns
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