7164S85TDB备选型号: 7164L85DB
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 电源
- 温度等级
- 内存大小
- 组织结构
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- 筛选水平
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 85ns 28-Pin CDIP通孔CDIP28RAM, SRAM - AsynchronousBulk2007活跃125°C-55°C5VParallel5.5V4.5V1100mA85 ns13b64 kbAsynchronous8b37.72mm7.62mm3.56mm无符合RoHS标准含铅--------------------
- SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 85ns 28-Pin CDIP通孔CDIP28RAM, SDR, SRAM - AsynchronousBulk2011活跃125°C-55°C5VParallel5.5V4.5V190mA85 ns13b64 kbAsynchronous8b37.2mm15.24mm1.65mm无符合RoHS标准含铅e0no1 (Unlimited)28Tin/Lead (Sn63Pb37)DUAL24015V2.54mm285VMILITARY8kB8KX83-STATE0.0002AMIL-STD-883 Class BCOMMON2V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 7164L70TDB | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | CDIP | SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 70ns 28-Pin CDIP | 对比 |
![]() | 7164L85TDB | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | CDIP | SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 85ns 28-Pin CDIP | 对比 |



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