71T75602S150BGI8备选型号: 71T75802S150BGG

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
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  • 温度等级
  • 内存大小
  • 最大电源电流
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.8ns 119-Pin BGA T/R
    8 Weeks
    BGA
    表面贴装
    119
    RAM, SRAM
    2012
    Tape & Reel
    活跃
    85°C
    -40°C
    150MHz
    2.5V
    Parallel
    2.625V
    2.375V
    1
    235mA
    3.8 ns
    19b
    18 Mb
    Synchronous
    36b
    22mm
    14mm
    2.15mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 3.8ns 119-Pin BGA Tube/Tray
    8 Weeks
    BGA
    -
    119
    150MHz
    2012
    -
    活跃
    70°C
    0°C
    150MHz
    2.5V
    Parallel
    2.625V
    2.375V
    1
    -
    3.8 ns
    20b
    18 Mb
    -
    -
    22mm
    14mm
    2.15mm
    符合RoHS标准
    无铅
    YES
    e1
    yes
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    2.5V
    30
    119
    COMMERCIAL
    2.3MB
    215mA
    3-STATE
    0.04A
    COMMON
    2.38V
    2.15mm
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