71T75602S166BG备选型号: 71T75802S166BGG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 频率
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 最大电源电流
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.5ns 119-Pin BGA Tube/Tray
    8 Weeks
    表面贴装
    BGA
    119
    166MHz
    2012
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    70°C
    0°C
    流水线结构
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    2.5V
    166MHz
    119
    2.5V
    COMMERCIAL
    Parallel
    2.625V
    2.375V
    2.3MB
    1
    245mA
    245mA
    3.5 ns
    3-STATE
    19b
    18 Mb
    0.04A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    2.38V
    2.15mm
    14mm
    22mm
    2.15mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 3.5ns 119-Pin BGA Tube/Tray
    8 Weeks
    -
    BGA
    119
    RAM, SDR, SRAM
    2012
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    70°C
    0°C
    流水线结构
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    2.5V
    166MHz
    119
    2.5V
    COMMERCIAL
    Parallel
    2.625V
    2.375V
    2.3MB
    1
    -
    245mA
    3.5 ns
    3-STATE
    20b
    18 Mb
    0.04A
    COMMON
    -
    -
    2.38V
    2.15mm
    14mm
    22mm
    2.15mm
    符合RoHS标准
    无铅
    YES
    30
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