71T75802S166BGGI备选型号: CY7C1370D-200BGXC

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
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  • 端子间距
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  • 基本部件号
  • 内存大小
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 3.5ns 119-Pin BGA Tube/Tray
    8 Weeks
    表面贴装
    BGA
    119
    RAM, SRAM
    265mA
    2012
    活跃
    85°C
    -40°C
    2.5V
    166MHz
    Parallel
    1
    3.5 ns
    20b
    18 Mb
    Synchronous
    18b
    2.625V
    2.375V
    22mm
    14mm
    2.15mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
    -
    表面贴装
    119-BGA
    119
    Volatile
    300mA
    2004
    Obsolete
    -
    -
    3.3V
    -
    -
    4
    3ns
    19b
    18 Mb
    Synchronous
    36b
    3.6V
    3.135V
    -
    22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    0°C~70°C TA
    Tray
    NoBL™
    e1
    3 (168 Hours)
    119
    3A991.B.2.A
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    BOTTOM
    260
    1
    1.27mm
    20
    CY7C1370
    18Mb 512K x 36
    200MHz
    SRAM
    Parallel
    512KX36
    3-STATE
    36
    0.07A
    COMMON
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