71T75802S200BGGI备选型号: CY7C1370D-200BGXC
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- 工厂交货时间
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- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 温度等级
- 界面
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流-最大值
- 访问时间
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- 安装类型
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- ECCN 代码
- 端子间距
- 基本部件号
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 同步/异步
- 字长
- 无铅
- SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 3.2ns 119-Pin BGA Tube/Tray8 WeeksBGAYES119200MHz2013e1yes3 (168 Hours)119Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)85°C-40°C流水线结构2.5VBOTTOMBALL2601200MHz30INDUSTRIALParallel2.3MB10.295mA3.2 ns3-STATE1820b18 Mb0.06ACOMMON2.38V2.625V2.375V22mm2.36mm无符合RoHS标准-----------------
- IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA-119-BGA-119Volatile2004e1-3 (168 Hours)119Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)--流水线结构3.3VBOTTOM-2601-20--18Mb 512K x 364-3ns3-STATE3619b18 Mb0.07ACOMMON-3.6V3.135V22mm-无ROHS3 Compliant表面贴装表面贴装300mA0°C~70°C TATrayNoBL™Obsolete3A991.B.2.A1.27mmCY7C1370200MHzSRAMParallel512KX36Synchronous36b无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1370D-200BGXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA | 对比 |
![]() | 71T75602S150BGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.8ns 119-Pin BGA Tube/Tray | 对比 |
![]() | 71T75602S150BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.8ns 119-Pin BGA Tube/Tray | 对比 |






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