71T75802S200BGGI8备选型号: 71T75602S150BGI

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  • 工厂交货时间
  • 底架
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  • JESD-609代码
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 频率
  • 温度等级
  • 界面
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  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 最大电流源
  • 内存大小
  • 高度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 无铅
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 3.2ns 119-Pin BGA T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    BGA
    119
    RAM, SRAM
    295mA
    Tape & Reel
    2012
    e1
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    85°C
    -40°C
    流水线结构
    2.5V
    BOTTOM
    BALL
    1
    200MHz
    INDUSTRIAL
    Parallel
    1
    3.2 ns
    3-STATE
    18
    20b
    18 Mb
    0.06A
    COMMON
    Synchronous
    18b
    2.38V
    2.625V
    2.375V
    22mm
    2.36mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.8ns 119-Pin BGA Tube/Tray
    8 Weeks
    表面贴装
    BGA
    119
    150MHz
    235mA
    -
    2012
    e0
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    85°C
    -40°C
    流水线结构
    2.5V
    BOTTOM
    BALL
    1
    150MHz
    INDUSTRIAL
    Parallel
    1
    3.8 ns
    3-STATE
    -
    19b
    18 Mb
    0.06A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    2.38V
    2.625V
    2.375V
    14mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    no
    活跃
    225
    235mA
    2.3MB
    2.15mm
    22mm
    2.15mm
    含铅
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