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71V016SA20YG备选型号: 71V016SA15PHGI
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SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44-Pin SOJ Tube/Tray12 Weeks表面贴装44RAM, SDR, SRAM - Asynchronous2011e3yes活跃3 (168 Hours)44Matte Tin (Sn) - annealed70°C0°CDUALJ BEND26013.3V443.3VCOMMERCIALParallel3.6V3V128kB1120mA20 ns3-STATE16b1 MbCOMMONAsynchronous16b3V28.6mm3.683mm10.2mm2.9mm无符合RoHS标准无铅-----
SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM12 Weeks表面贴装44RAM, SDR, SRAM - Asynchronous2011e3yes活跃3 (168 Hours)44Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°CDUAL鸥翼26013.3V443.3VINDUSTRIALParallel3.6V3V128kB1130mA15 ns3-STATE16b1 MbCOMMONAsynchronous16b3V18.41mm-10.16mm1mm-符合RoHS标准无铅TSOP0.8mm30不合格130mA- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V016SA15YG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 15ns 44-Pin SOJ Tube/Tray | 对比 | |
| 71V016SA15PHGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM | 对比 |
 | 71V016SA15PHG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 |
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