71V124SA15PHG8备选型号: IS63WV1288DBLL-10TLI

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 最小电源电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 表面安装
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  • 电压 - 供电
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
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  • 内存格式
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  • 待机电流-最大值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 15ns 32-Pin TSOP-II T/R
    7 Weeks
    表面贴装
    SOIC
    32
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    Tape & Reel
    2013
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    Matte Tin (Sn) - annealed
    70°C
    0°C
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    30
    32
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    128kB
    1
    100mA
    15 ns
    3-STATE
    17b
    1 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    3V
    20.95mm
    10.16mm
    1mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32-Pin TSOP-II
    8 Weeks
    -
    32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
    32
    Volatile
    Tray
    -
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    -
    260
    1
    -
    40
    32
    -
    -
    -
    -
    -
    1Mb 128K x 8
    1
    55mA
    -
    3-STATE
    17b
    1 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    20.95mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    YES
    -40°C~85°C TA
    2.4V~3.6V
    3.6V
    2.5/3.3V
    2.4V
    SRAM
    Parallel
    8
    10ns
    0.000055A
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