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71V25761S200BG备选型号: 71V35761S200BGGI
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
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- 同步/异步
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- 电压 - 供电 （最小值）
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- 座位高度(最大)
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- RoHS状态
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- 零件状态
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SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM7 Weeks表面贴装BGA119200MHz360mA2009e0no3 (168 Hours)119Tin/Lead (Sn63Pb37)70°C0°C流水线结构3.3VBOTTOMBALL2251200MHz20不合格COMMERCIALParallel512kB13.1 ns3-STATE17b4.5 Mb0.03ACOMMONSynchronous36b3.465V3.135V14mm2.36mm22mm2.15mm符合RoHS标准含铅--
SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM--BGA119200MHz-2009-yes---85°C-40°C-3.3V----200MHz---Parallel512kB13.1 ns-17b4.5 Mb----3.465V3.135V14mm-22mm2.15mm符合RoHS标准无铅Discontinued无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V35761S200BG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 4 MEG PBSRAM W/ FAST TC | 对比 |
| 71V35761S200BGGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |
 | 71V35761S200BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |
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