71V30L55TF备选型号: 7130LA55PF

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  • 端子表面处理
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  • 密度
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  • I/O类型
  • 同步/异步
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  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源
  • 座位高度(最大)
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 3.3V 8K-Bit 1K x 8 55ns 64-Pin STQFP
    7 Weeks
    TQFP
    表面贴装
    64
    RAM, SDR, SRAM
    2008
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    64
    EAR99
    Tin/Lead (Sn85Pb15)
    70°C
    0°C
    QUAD
    鸥翼
    240
    3.3V
    0.5mm
    64
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    1kB
    2
    105mA
    55 ns
    1KX8
    3-STATE
    20b
    8 kb
    0.003A
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    3V
    10mm
    10mm
    1.4mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM
    7 Weeks
    TQFP
    表面贴装
    64
    RAM, SDR, SRAM
    2013
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    64
    EAR99
    Tin/Lead (Sn85Pb15)
    70°C
    0°C
    QUAD
    鸥翼
    240
    5V
    0.8mm
    64
    5V
    COMMERCIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    1kB
    2
    110mA
    55 ns
    1KX8
    3-STATE
    20b
    8 kb
    0.0015A
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    14mm
    14mm
    1.4mm
    符合RoHS标准
    含铅
    1
    20
    5V
    1.6mm
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