71V3558SA166BQG备选型号: IS61NLP25618A-200B3LI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子间距
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 内存宽度
- 待机电压-最小值
- SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 256K x 18 3.5ns 165-Pin CABGA Tray11 Weeks表面贴装165166MHz2013e1yes活跃3 (168 Hours)165Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)70°C0°CBOTTOMBALL26013.3V166MHz301653.3VCOMMERCIALParallel3.465V3.135V512kB1350mA3.5 ns3-STATE18b4.5 Mb0.04ACOMMONSynchronous18b15mm13mm1.2mm无符合RoHS标准无铅----------------
- IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165BGA12 Weeks-165Volatile-e1yes活跃2 (1 Year)165Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)--BOTTOM-26013.3V-101653.3V----4.5Mb 256K x 182210mA3.1ns3-STATE18b4 Mb0.035ACOMMONSynchronous18b15mm---ROHS3 Compliant-表面贴装165-TFBGAYES-40°C~85°C TATray流水线结构3.135V~3.465V1mm不合格3.465V3.135V200MHzSRAMParallel183.14V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61NLP25618A-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TFBGA | IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165BGA | 对比 | |
![]() | 71V35761SA166BQGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | FBGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.5ns 165-Pin FBGA | 对比 |
![]() | 71V3556SA166BQ | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.5ns 165-Pin CABGA | 对比 |





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