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71V3559S80PFG备选型号: IS61LF25618A-7.5TQLI
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- 最高工作温度
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- 端子位置
- 终端形式
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- 功能数量
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- 同步/异步
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- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
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- 包装
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- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
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- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
SRAM 4M ZBT 3.3V I/O SLOW X1812 Weeks表面贴装TQFP100100MHz2009e3yes活跃3 (168 Hours)100Matte Tin (Sn) - annealed70°C0°CFLOW-THROUGH ARCHITECHTUREQUAD鸥翼26013.3V0.65mm95MHz30100不合格3.3VCOMMERCIALParallel3.465V3.135V512kB1250mA8 ns3-STATE18b4.5 Mb0.04ACOMMONSynchronous18b20mm14mm1.4mm符合RoHS标准无铅--------------
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP12 Weeks-100-LQFP100Volatile-e3yes活跃2 (1 Year)100Matte Tin (Sn) - annealed--FLOW-THROUGH ARCHITECTUREQUAD-26013.3V0.65mm-40100-3.3V----4.5Mb 256K x 182160mA7.5ns3-STATE18b4 Mb0.035ACOMMONSynchronous18b---ROHS3 Compliant无铅表面贴装YES-40°C~85°C TATray3.135V~3.6V3.465V3.135V117MHzSRAMParallel183.14V1.6mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LF25618A-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP | 对比 |
 | 71V3557S80PFGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 8ns 100-Pin TQFP | 对比 |
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