Integrated Device Technology (IDT) 71V3559S80PFG
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71V3559S80PFG
1179-71V3559S80PFG
存储器
TQFP
大陆
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SRAM 4M ZBT 3.3V I/O SLOW X18
--最小包装量--
71V3559S80PFG详情
Integrated Device Technology (IDT) 71V3559S80PFG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TQFP
引脚数
100
Frequency(Max)
100MHz
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.65mm
频率
95MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
100
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.465V
最小电源电压
3.135V
内存大小
512kB
端口的数量
1
电源电流
250mA
访问时间
8 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
18b
密度
4.5 Mb
待机电流-最大值
0.04A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
18b
长度
20mm
宽度
14mm
器件厚度
1.4mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
71V3559S80PFG拓展信息
IDT
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