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71V416L12YG8备选型号: 71V416S12PHG

71V416L12YG8

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ T/R

12 Weeks
表面贴装
44
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
2012
e3
yes
活跃
3 (168 Hours)
44
哑光锡
70°C
0°C
DUAL
J BEND
260
1
3.3V
44
3.3V
COMMERCIAL
Parallel
3.6V
3V
512kB
1
170mA
12 ns
3-STATE
18b
4 Mb
COMMON
Asynchronous
16b
3V
28.6mm
10.2mm
2.9mm
无
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
71V416S12PHG

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

12 Weeks
表面贴装
44
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
2005
e3
yes
活跃
3 (168 Hours)
44
Matte Tin (Sn) - annealed
70°C
0°C
DUAL
鸥翼
260
1
3.3V
44
3.3V
COMMERCIAL
Parallel
3.6V
3V
512kB
1
180mA
12 ns
3-STATE
18b
4 Mb
COMMON
Asynchronous
16b
3V
18.41mm
10.16mm
1mm
无
符合RoHS标准
无铅
TSOP
0.8mm
30
180mA
0.02A
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	71V416S12PHG	Integrated Device Technology (IDT)	存储器	TSOP	SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM	对比