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71V65603S100BQGI备选型号: 71V65703S75BQ
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 电源电压
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 5ns 165-Pin CABGA12 Weeks表面贴装165100MHz2007e1yes活跃3 (168 Hours)165Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)85°C-40°C爆破计数器BOTTOMBALL26013.3V100MHz301653.3VINDUSTRIALParallel3.465V3.135V1.1MB1270mA10 ns256KX363-STATE18b9 Mb0.06ACOMMONSynchronous36b15mm13mm1.2mm无符合RoHS标准无铅
SRAM 9M ZBT SLOW X36 F/T 3.3V7 Weeks表面贴装165RAM, SDR, SRAM2009e0no活跃3 (168 Hours)165Tin/Lead (Sn63Pb37)70°C0°CFLOW-THROUGH ARCHITECTUREBOTTOMBALL22513.3V100MHz201653.3VCOMMERCIALParallel3.465V3.135V1.1MB1275mA7.5 ns256KX363-STATE18b9 Mb0.04ACOMMONSynchronous36b15mm13mm1.2mm无符合RoHS标准含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V67703S80BQI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8ns 165-Pin CABGA | 对比 | |
| 71V65703S75BQ | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM 9M ZBT SLOW X36 F/T 3.3V | 对比 |
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