71V65603S150BQI备选型号: 71V67703S75BQ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 温度等级
- 界面
- 内存大小
- 端口的数量
- 访问时间
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.8ns 165-Pin CABGA12 Weeks表面贴装165150MHz345mA2007e0no活跃3 (168 Hours)165Tin/Lead (Sn63Pb37)85°C-40°C流水线结构3.3VBOTTOMBALL2251150MHz20INDUSTRIALParallel1.1MB16.7 ns256KX363-STATE18b9 Mb0.06ACOMMONSynchronous36b3.465V3.135V15mm13mm1.2mm无符合RoHS标准含铅
- SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 165-Pin CABGA7 Weeks表面贴装165117MHz265mA2009e0no活跃3 (168 Hours)165Tin/Lead (Sn63Pb37)70°C0°CFLOW-THROUGH ARCHITECTURE3.3VBOTTOMBALL2251117MHz20COMMERCIALParallel1.1MB17.5 ns256KX363-STATE18b9 Mb0.05ACOMMONSynchronous36b3.465V3.135V15mm13mm1.2mm无符合RoHS标准含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V65803S150BQG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.8ns 165-Pin CABGA | 对比 | |
![]() | 71V65803S150BG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.8ns 119-Pin BGA | 对比 |
![]() | 71V67703S75BQ | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 165-Pin CABGA | 对比 |






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