71V65703S75BQG备选型号: IS61LPS25636A-200B3LI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 温度等级
  • 界面
  • 端口的数量
  • 组织结构
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 访问时间(最大)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • ECCN 代码
  • 电压 - 供电
  • 端子间距
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 座位高度(最大)
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 165-Pin CABGA
    7 Weeks
    YES
    165
    RAM, SRAM
    2009
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    70°C
    0°C
    FLOW-THROUGH
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    3.3V
    30
    165
    3.3V
    3.465V
    COMMERCIAL
    Parallel
    1
    256KX36
    18b
    9 Mb
    7.5 ns
    15mm
    13mm
    1.2mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
    12 Weeks
    YES
    165
    Volatile
    -
    e1
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    流水线结构
    BOTTOM
    -
    260
    1
    3.3V
    40
    165
    3.3V
    -
    -
    -
    4
    256KX36
    18b
    9 Mb
    -
    15mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    165-TBGA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    3A991.B.2.A
    3.135V~3.465V
    1mm
    3.135V
    9Mb 256K x 36
    275mA
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    0.105A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    1.2mm
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