71V65703S75BQG备选型号: IS61LPS25636A-200B3LI
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- 工厂交货时间
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 温度等级
- 界面
- 端口的数量
- 组织结构
- 地址总线宽度
- 密度
- 访问时间(最大)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- ECCN 代码
- 电压 - 供电
- 端子间距
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 座位高度(最大)
- SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 165-Pin CABGA7 WeeksYES165RAM, SRAM2009e1yes活跃3 (168 Hours)165Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)70°C0°CFLOW-THROUGHBOTTOMBALL26013.3V301653.3V3.465VCOMMERCIALParallel1256KX3618b9 Mb7.5 ns15mm13mm1.2mm无符合RoHS标准无铅---------------------
- IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA12 WeeksYES165Volatile-e1yes活跃2 (1 Year)165Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)--流水线结构BOTTOM-26013.3V401653.3V---4256KX3618b9 Mb-15mm--无ROHS3 Compliant-表面贴装165-TBGA-40°C~85°C TATray3A991.B.2.A3.135V~3.465V1mm3.135V9Mb 256K x 36275mA200MHz3.1nsSRAMParallel3-STATE360.105ACOMMONSynchronous36b1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LPS25636A-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
![]() | 71V67603S133BQGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 4.2ns 165-Pin CABGA | 对比 |




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