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首页 全部分类 71V65703S75PFGI vs IS61LF25636A-7.5TQLI

71V65703S75PFGI备选型号: IS61LF25636A-7.5TQLI

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
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  • 引脚数量
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  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 表面安装
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • ECCN 代码
  • 电压 - 供电
  • 端子间距
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 最大电源电流
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 座位高度(最大)
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V65703S75PFGI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 100-Pin TQFP
    8 Weeks
    表面贴装
    TQFP
    100
    RAM, SDR, SRAM
    2009
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    100
    Matte Tin (Sn) - annealed
    85°C
    -40°C
    FLOW-THROUGH
    QUAD
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    100MHz
    30
    100
    3.3V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3.465V
    3.135V
    1.1MB
    1
    295mA
    7.5 ns
    256KX36
    18b
    9 Mb
    Synchronous
    36b
    20mm
    14mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61LF25636A-7.5TQLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
    12 Weeks
    -
    100-LQFP
    100
    Volatile
    -
    e3
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    100
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    QUAD
    -
    260
    1
    3.3V
    -
    40
    100
    3.3V
    -
    -
    -
    -
    9Mb 256K x 36
    4
    185mA
    7.5ns
    256KX36
    18b
    9 Mb
    Synchronous
    36b
    20mm
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    YES
    657.000198mg
    -40°C~85°C TA
    Tray
    3A991.B.2.A
    3.135V~3.6V
    0.65mm
    3.135V
    185mA
    117MHz
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    0.085A
    COMMON
    1.6mm
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