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7203L35J备选型号: 7204L35J

7203L35J

Integrated Device Technology (IDT)

FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 2K x 9 32-Pin PLCC

7 Weeks
Lead, Tin
表面贴装
PLCC
32
2009
e0
no
活跃
1 (Unlimited)
32
EAR99
Tin/Lead (Sn85Pb15)
70°C
0°C
RETRANSMIT
QUAD
J BEND
225
1
5V
1.27mm
32
5V
5V
COMMERCIAL
5.5V
4.5V
Dual
120mA
120mA
22.2MHz
35 ns
9b
2KX9
18 kb
0.002A
PARALLEL
Asynchronous
9b
其他先进先出
单向
有
无
NO
45 ns
13.97mm
3.556mm
11.43mm
2.79mm
符合RoHS标准
含铅
-
7204L35J

Integrated Device Technology (IDT)

FIFO 4KX9BIT PARALLEL CMOS FIF

7 Weeks
Lead, Tin
表面贴装
PLCC
32
2009
-
-
活跃
-
-
-
-
70°C
0°C
-
-
-
-
-
-
-
-
5V
-
-
5.5V
4.5V
Dual
120mA
120mA
-
35 ns
-
-
36 kb
-
-
Asynchronous
9b
-
单向
有
-
-
-
13.97mm
-
11.43mm
2.79mm
符合RoHS标准
含铅
无
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	7204L35J	Integrated Device Technology (IDT)	逻辑 - FIFO 存储器	PLCC	FIFO 4KX9BIT PARALLEL CMOS FIF	对比