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7208L35J备选型号: 7203L35J

7208L35J

Integrated Device Technology (IDT)

FIFO 32K X 9 CMOS PARALLEL FIF

7 Weeks
Lead, Tin
表面贴装
PLCC
32
22.2MHz
2009
e0
no
活跃
1 (Unlimited)
32
EAR99
Tin/Lead (Sn85Pb15)
70°C
0°C
RETRANSMIT
QUAD
J BEND
225
1
5V
32
5V
5V
COMMERCIAL
2
5.5V
4.5V
Dual
120mA
120mA
35 ns
9b
双向
64KX9
576 kb
0.008A
PARALLEL
Asynchronous
9b
其他先进先出
单向
有
无
NO
45 ns
13.97mm
3.556mm
11.43mm
2.79mm
符合RoHS标准
含铅
-
-
-
7203L35J

Integrated Device Technology (IDT)

FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 2K x 9 32-Pin PLCC

7 Weeks
Lead, Tin
表面贴装
PLCC
32
-
2009
e0
no
活跃
1 (Unlimited)
32
EAR99
Tin/Lead (Sn85Pb15)
70°C
0°C
RETRANSMIT
QUAD
J BEND
225
1
5V
32
5V
5V
COMMERCIAL
-
5.5V
4.5V
Dual
120mA
120mA
35 ns
9b
-
2KX9
18 kb
0.002A
PARALLEL
Asynchronous
9b
其他先进先出
单向
有
-
NO
45 ns
13.97mm
3.556mm
11.43mm
2.79mm
符合RoHS标准
含铅
1.27mm
22.2MHz
无
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	7203L35J	Integrated Device Technology (IDT)	逻辑 - FIFO 存储器	PLCC	FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 2K x 9 32-Pin PLCC	对比
	7201LA35J	Integrated Device Technology (IDT)	逻辑 - FIFO 存储器	PLCC	IC MEM FIFO 512X9 35NS 32-PLCC	对比