96SD3-4G1066NN-AP备选型号: MT8KTF51264HZ-1G9P1
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- 内存大小
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- RoHS状态
- 表面安装
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 温度等级
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 端口的数量
- 操作模式
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 访问模式
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- MEMORY MODULE, 4G SO-DDR3-1066 204PIN 22 Weeks204-SODIMM204DDR3 SDRAM2006活跃1 (Unlimited)4GB1066Mb/s符合RoHS标准--------------------
- MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM5 Weeks204-SODIMM204DDR3L SDRAM2009活跃1 (Unlimited)4GB1866MT/sROHS3 CompliantNO204SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.5V NOM; WD-MAXZIG-ZAG无铅11.35V0.45mm1.45VCOMMERCIAL1.283V1SYNCHRONOUS512MX646434359738368 bit单库页面突发67.6mm30.15mm3.8mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT4KTF25664HZ-1G9P1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 204-SODIMM | MODULE DDR3L SDRAM 2GB 204SODIMM | 对比 |
![]() | MT8KTF51264HZ-1G9P1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 204-SODIMM | MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM | 对比 |




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