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首页 全部分类 A3950SEUTR-T vs NLAS3899BMNTXG

A3950SEUTR-T备选型号: NLAS3899BMNTXG

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  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
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  • 模拟 IC - 其他类型
  • 输出配置
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  • 电压-负荷
  • 电机类型-交流，直流
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 表面安装
  • 电阻
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 通道数量
  • 电路数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 接通延迟时间
  • 输入数量
  • 无卤素
  • 电源类型
  • -3db 带宽
  • 通态电阻（最大值）
  • 多路复用器/解复用器电路
  • 断态隔离-标称
  • 最大漏电流（IS（off））
  • 通道电容（CS和CD：开关在断开时的源极和漏极电容）
  • 通态电阻匹配标称
  • 开关电路
  • 开关时间（Ton, Toff）（最大）
  • 电荷注入
  • 通道间匹配度 (ΔRon)
  • 开关量
  • 电压 - 电源，单路（V±）
  • 高度
  • 无铅
  • Allegro MicroSystems
    A3950SEUTR-T
    Allegro MicroSystems
    IC MOTOR DRIVER PAR 16QFN
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-WQFN Exposed Pad
    16
    -20°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    通用型
    8V~36V
    QUAD
    260
    0.65mm
    40
    A3950
    Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
    1
    36V
    8/36V
    8V
    Parallel
    无刷直流电机控制器
    Half Bridge (2)
    8.5mA
    8V~36V
    有刷直流
    4mm
    0.8mm
    4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NLAS3899BMNTXG
    ON Semiconductor
    IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    16-VFQFN Exposed Pad
    16
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    QUAD
    -
    0.5mm
    -
    NLAS3899B
    -
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3mm
    -
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    YES
    20 ns
    2.5Ohm
    2
    3V
    16
    3V
    2
    2
    4.3V
    1.65V
    1μA
    30 ns
    4
    无卤素
    Single
    280MHz
    2.5Ohm
    2:2
    67 dB
    300nA
    10pF
    0.8Ohm
    DPDT
    40ns, 30ns
    111pC
    700m Ω
    BREAK-BEFORE-MAKE
    1.65V~4.3V
    950μm
    无铅
  • 添加型号
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