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首页 全部分类 ADC11DV200CISQ/NOPB vs ADS58B19IRGZT

ADC11DV200CISQ/NOPB备选型号: ADS58B19IRGZT

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  • 电压 - 供电，模拟
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  • 转换率
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  • 输出格式
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 终端形式
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 输出位代码
  • 线性度误差-最大值 (EL)
  • Texas Instruments
    ADC11DV200CISQ/NOPB
    Texas Instruments
    IC ADC 11BIT 200MSPS DUAL 60WQFN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    60-WFQFN Exposed Pad
    60
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    EAR99
    QUAD
    260
    1
    1.8V
    0.5mm
    ADC11DV200
    60
    1.8V
    S/H-ADC
    2
    LVDS, Parallel
    1.9V
    1.7V
    450mW
    11
    Differential
    Pipelined
    ADC, PROPRIETARY METHOD
    Analog, Digital
    External, Internal
    LVDS - Parallel, Parallel
    1.375 B
    200 Msps
    1.7V~1.9V
    1.7V~1.9V
    2
    200M
    473mW
    1.5 LSB
    SAMPLE
    1
    200 Msps
    1:1
    1V
    PARALLEL, WORD
    63.8 dB
    800μm
    9mm
    9mm
    800μm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    ADS58B19IRGZT
    Texas Instruments
    IC ADC 9BIT 250MSPS 48VQFN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    48-VFQFN Exposed Pad
    48
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    QUAD
    260
    1
    1.8V
    0.5mm
    ADS58B19
    48
    -
    S/H-ADC
    1
    LVDS, Parallel
    1.9V
    1.7V
    287mW
    9
    Differential
    Pipelined
    ADC, ONE BIT COMPARATOR
    Analog, Digital
    Internal
    LVDS - Parallel, Parallel
    1.75 B
    250 Msps
    1.7V~1.9V
    1.7V~1.9V
    1
    250M
    287mW
    1.2 LSB
    -
    -
    200 Msps
    1:1
    -
    PARALLEL, WORD
    66 dB
    1mm
    7mm
    7mm
    900μm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10mW
    无铅
    未说明
    不合格
    OFFSET BINARY, 2'S COMPLEMENT BINARY
    0.2344%
  • 添加型号
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