AFT09MS031NR1备选型号: MW6S010GNR1

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  • 晶体管类型
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  • 场效应管技术
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  • 电压-测试
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • DS 击穿电压-最小值
  • NXP USA Inc.
    FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    10 Weeks
    TO-270AA
    YES
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.40
    260
    870MHz
    40
    AFT09MS031
    Single
    500mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    17.2dB
    31W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    317W
    13.6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
    10 Weeks
    TO-270BA
    YES
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    260
    960MHz
    40
    MW6S010
    SINGLE
    125mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    18dB
    10W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    61.4W
    28V
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    R-PDSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    68V
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