AFT26H250W03SR6备选型号: FDY1002PZ
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 65V 0.7A 5-Pin NI-1230S T/R10 WeeksNI-1230-4S65VTape & Reel (TR)2006Obsolete3 (168 Hours)EAR998541.29.00.402.5GHz700mALDMOS14.1dB50W28VROHS3 Compliant------------------------------------
- MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-610 WeeksSOT-563, SOT-6662Tape & Reel (TR)2006活跃1 (Unlimited)EAR99-------ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)Tin表面贴装表面贴装632mg-55°C~150°C TJPowerTrench®e3yes6500mOhm446mWFLATDual625mW3.5 ns2 P-Channel (Dual)500m Ω @ 830mA, 4.5V1V @ 250μA135pF @ 10V3.1nC @ 4.5V2.9ns20V2.9 ns830mA8V0.83A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.7mm1.2mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDV305N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23 | 对比 |
| FDY102PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3 | 对比 | |
![]() | IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 | 对比 |






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